レファレンス事例詳細
- 事例作成日
- 20101021
- 登録日時
- 2011/04/27 02:00
- 更新日時
- 2011/04/27 02:00
- 管理番号
- N101012110423
- 質問
-
解決
巻号等不明箇所がありますので、照会いたします。
1. 雑誌 IEEE Transactions on Nuclear Science
論文名「Electrical Properrties of Iodine-Doped CdTe Epitaxial Films on Si Substrates Grown by MOVPE」
掲載号 vol.56 p1731-1735 2009 までわかりましたが、56のあとの(1)から(6)
Pt1~3が不明なので教えてください。
2.雑誌 IEEE Transactions on Nuclear Science
論文名「MOVPE Growth of CdTe on Si Substrates for Gamma Ray Detector Fabrication」
掲載号 vol.56 p836-840 2009 までわかりましたが、56のあとの(1)から(6)
Pt1~3が不明なので教えてください。
3.雑誌 IEEE Transactions on Nuclear Science
論文名「Chararacterization of CdTe/n+_Si Heterojunction Diodes for Nuclear Radiation Detectors」
掲載号 vol.54 p817-820 2007 までわかりましたが、54のあとの(1)から(6)
Pt1~3が不明なので教えてください。
- 回答
-
ご照会の論文は当館関西館で所蔵しています。
書誌事項は以下のとおりです。
1.Madan Niraula, et al.:
Electrical Properties of Iodine-Doped CdTe Epitaxial Films on Si Substrates Grown by MOVPE
(IEEE Transactions on Nuclear Science 56(4) (Pt.1) 2009.8 pp.1731-1735 当館請求記号 Z53-F156)
2.Madan Niraula, et al.:
MOVPE Growth of CdTe on Si Substrates for Gamma Ray Detector Fabrication
(IEEE Transactions on Nuclear Science 56(3) (Pt.2) 2009.6 pp.836-840 当館請求記号 Z53-F156)
3.M. Niraula, et al.:
Characterization of CdTe/n+-Si Heterojunction Diodes for Nuclear Radiation Detectors
(IEEE Transactions on Nuclear Science 54(4) (Pt.1) 2007.8 pp.817-820 当館請求記号 Z53-F156)
なお、出版元のウェブサイト(http://ieeexplore.ieee.org/)の当該雑誌のページで、書誌事項やvolume, issue, partがご確認いただけます。
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?reload=true&punumber=23
インターネットの最終アクセス日:2010年10月15日
- 回答プロセス
- 事前調査事項
- NDC
-
- 英語 (053 9版)
- 参考資料
- キーワード
-
- 洋雑誌
- 照会先
- 寄与者
- 備考
- 調査種別
- 内容種別
- 質問者区分
- 登録番号
- 1000085616